Это явление, связанное с неоднородностью (возможно динамической, а не структурной) полупроводникового материала и проявляется в основном в полупроводниках с отрицательным ТКС. Ну то есть практически во всех, потому что практически в них во всех сопротивление с ростом температуры падает.
И тогда вот что происходит: если где-то в том объёме материала, по которому протекает ток, локально повышается температура, то там падает сопротивление. А раз падает сопротивление - значит, через этот участок начинает идти ещё больший ток, этот участок разогревается ешё сильнее, сопротивление участка падает ещё больше... ну вы поняли. В итоге весь ток устремляется в/через этот небольшой участок - это и есть шнурование тока.
И явление это весьма вредное, потому что локальный перегрев способен легко вывести прибор из строя.
Понятное дело, что вероятность такого механизма шнурования тока сильно зависит от тепловых параметров структуры, в частности от эффективности и равномерности теплоотвода.
Кстати, устойчивость к шнурованию тока - одно из преимуществ МОП-структур перед обычными биполярными транзисторами в сильноточных приборах В биполярных транзисторах значение имеют не только резистивные параметры материала, но температурная зависимость процесса инжекции неосновных носителей в базу. И это одна из причин (но не только эта, и даже в основном не эта), по которой в сильноточной технике так популярны МОП-транзисторы.